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富士IGBT-EVM31-050A货源充足

当14脚和15脚无电流流过,则V1和V2导通,V2的导通使V4截止、V5导通,IGBT栅极电荷通过V5迅速放电,引脚3电位下降至0V,是IGBT栅一射间承受5V左右的负偏压,IGBT可靠关断,同时VCE的迅速上升使引脚6“悬空”。C2的放电使得B点电位为0V,则VS1仍然不导通,后续电路不动作,IGBT正常关断。如有过流发生,IGBT的VCE过大使得VD2截止,使得VS1击穿,V3导通,C4通过R7放电,D点电位下降,从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低,完成慢关断,实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知,EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压,6脚的电压不仅与VCE有关。

IGBT驱动电路

IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大,以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提,驱动电路起到至关重要的作用。

IGBT的等效电路及符合如图1所示,IGBT由栅极正负电压来控制。当加上正栅极电压时,管子导通;当加上负栅极电压时,管子关断。

IGBT

IGBT具有和双极型电力晶体管类似的伏安特性,随着控制电压UGE的增加,特性曲线上移。开关电源中的IGBT通过UGE电平的变化,使其在饱和与截止两种状态交替工作。

(1)提供适当的正反向电压,使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降,但若UGE过大,则负载短路时其IC随UGE增大而增大,对其安全不利,使用中选UGEν15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通,一般选UGE=-5V为宜。

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一般取+15V/-10V。信号传输延迟时间短,低电平-高电平的传输延时以及高电平-低电平的传输延时时间都在1.5μs以下。具有过流保护功能。M57962L通过检测IGBT的饱和压降来判断IGBT是否过流,一旦过流,M57962L就会将对IGBT实施软关断,并输出过流故障信号。M57959的内部结构如图所示,这一电路的驱动部分与EXB系列相仿,但是过流保护方面有所不同。过流检测仍采用电压采样,电路特点是采用栅压缓降,实现IGBT软关断。避免了关断中过电压和大电流冲击,另外,在关断过程中,输入控制信号的状态失去作用,既保护关断是在封闭状态中完成的。当保护开始时,立即送出故障信号,目的是切断控制信号。

(2)IGBT的开关时间应综合考虑。快速开通和关断有利于提高工作频率,减小开关损耗。但在大电感负载下,IGBT的开频率不宜过大,因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压,及有可能造成IGBT自身或其他元件击穿。

(3)IGBT开通后,驱动电路应提供足够的电压、电流幅值,使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。

(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响,RG较大,有利于抑制IGBT的电流上升率及电压上升率,但会增加IGBT的开关时间和开关损耗;RG较小,会引起电流上升率增大,使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关,一般在几欧~几十欧,小容量的IGBT其RG值较大。

(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、 驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配,另外,在未采取适当的防静电措施情况下,G—E断不能开路。

IGBT

四、IGBT的结构

IGBT是一个三端器件,它拥有栅极G、集电极c和发射极E。IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号如图所示。

如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,形成丁一个大面积的PN结J1。由于IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子,因而对漂移区电导率进行调制,可仗IGBT具有很强的通流能力。介于P+注入区与N-漂移区之间的N+层称为缓冲区。有无缓冲区决定了IGBT具有不同特性。有N*缓冲区的IGBT称为非对称型IGBT,也称穿通型IGBT。它具有正向压降小、犬断时间短、关断时尾部电流小等优点,但其反向阻断能力相对较弱。无N-缓冲区的IGBT称为对称型IGBT,也称非穿通型IGBT。它具有较强的正反向阻断能力,但它的其他特性却不及非对称型IGBT。

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亦是理应所在的。它的弱点是过压、过热、抗冲击、抗干扰等承受力较低,因此在使用时必须正确选择器件的容量,要有完全严格的保护电路,按产品技术性能规定来正确选定各种参数值和保护值,是件非常重要的事,切莫粗枝大叶,否则后患无穷,造成经济损失。只要精心设计,规范运行,是能确保使用中安全性和可靠性,这亦是无疑的。要确定主电路拓扑结构,这个和IGBT选型密切相关,额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数,额定工作电压、电压波动、***工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数,引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求,再就是考虑性价比和供货。IGBT的使用综合性能是非常优越的,决非其它功率器件所能替代的。


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